今天,台积电宣布,N7+7nm+技术已大量向客户提供,这是公司乃至整个行业首款商用EUV极紫外光刻技术。euv光刻采用波长为10-14nm的极紫外光源,可以直接将曝光波长降低到13.5nm,促进更先进的技术。

ev光刻技术早在20世纪80年代就已经发展起来了。原计划用于70nm工艺。然而,光刻机指数并不受欢迎。此外,成本仍然很高,芯片制造商不得不引入浸印平版印刷,双倍甚至多次曝光。开发一个新的流程。

据台积电称,他们的EUV光刻机在日常生产中能稳定输出250 W以上的电能,完全可以满足现在和将来新工艺的需要。

三星还推出了7纳米工艺EUV,但落后了很大的进步相比,台积电滞后。

台积电称,7nm+的生产速度也是公司历史上最快的速度之一。已于今年二季度批量生产,并迅速达到7nm技术水平,产量超过一年。

7nm+可以提高晶体管密度15-20<unk>的性能与7nm相比,同时提高功耗。

台积电7nm技术已在多个客户产品中使用,但官方没有给出具体清单,唯一完全确认的是华为麒麟9905G,7nm下一代禅3架构已标记为7nm工艺。
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下一步,台积电将继续向6nm、5nm、3nm、2nm方向发展,其中6nm(n6)相当于7nm升级,设计规则完全兼容,继续采用euv技术,晶体管密度可比7nm提高18%,预计明年一季度试生产。明年年底前批量生产。

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